来源：IEK 2018/2/5浏览量：33020

工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)引用市调机构调查报告指出，去年全球DRAM价量飙扬，产值年增达约77%、达725亿美元，平均销售单价上涨55%;今年预估还是供不应求，虽然涨幅力道不如去年大，但在主要供货商仍有节制增产下， 预估今年平均销售单价仍会涨逾32%，年产值估约年增23%、达近900亿美元，为历年来新高。

来源：工商时报 2018/1/22浏览量：35138

内存模组大厂威刚(3260)董事长陈立白指出，先前虽预期今年DRAM可能会缺到第三季，但现在预期今年DRAM仍会缺货一整年。陈立白指出，市场对于三星的扩产动作有所疑虑，但三星对于扩产仍十分小心谨慎，所以DRAM市场今年已大势底定，可说一整年都是晴空万里无云。

来源：钜亨网 2018/1/9浏览量：33275

存储器模组大厂威昨(8)日公布去年12月合并营收25.52亿元(新台币，下同)，月减13.3%，年增12.65%，第4季合并营收82.28亿元，季增0.84%，为全年单季高点，累计去年全年合并营收322.25亿元，年增38.8%，创近4年来新高。

来源：集微网 2018/1/4浏览量：28026

2017年内存、电容双双缺货涨价，其中内存每季度涨价超20%，电容普遍涨价4-5倍。据集微网获悉，缺货涨价固然有产能不足的因素，但原厂联合渠道商炒货，是其中更为重要的潜在影响因素。

来源：新电子 2018/1/2浏览量：31314

抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。

来源：新电子 2017/12/27浏览量：30242

抢攻DRAM市场商机，三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案，以达更高效能、更低功耗，以及更小的体积。

来源： 2017/12/25浏览量：29579

本周，据韩联社报道，三星电子宣布开始使用第二代10nm工艺生产出了8Gb DDR4颗粒，这是继第一代10nm工艺生产后时隔两年的时间，技术上的再一次迭代。

来源：集微网 2017/12/25浏览量：31618

内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。

来源： 2017/12/11浏览量：30270

据外媒报道，经过50年的发展，半导体市场仍然显得非常活跃，它在今年有望增长20%。随着高增长而来的是供应短缺，这就是DRAM和闪存价格为什么今年会上涨的原因。

来源： 2017/11/6浏览量：29737

DRAM供不应求短期难解，全球DRAM制造龙头韩国三星半导体通知渠道商，计划明年第1季再调涨DRAM报价，涨幅3~5%，其中以行动式DRAM涨幅较大，这也说明三星在采取节制性增产下，仍不愿放弃持续拉升DRAM获利，推升集团获利表现，有助破除让近期市场担心三星可能会扩产，打乱DRAM产业秩序的疑虑。